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第851章 万家生佛今天就这4k（第3页）

而且它也是多个相同的微结构并联的，其并联的数量，比gTo还大！

如果说gTo的阴极是上千个相同结构并联的话，那mosFeT一个器件里的并联数量可以达到上万。

如果高振东没搞定光刻机的事情，那mosFeT即使研究出来，量产就会非常麻烦。

“这都要用到微电子技术了，我回去得把院里去年分来的两个搞过sZ61的年轻同志要过来才行，要不没法搞。”李主任看着这个结构，喃喃自语。

此时，去年高振东在61号教室播下的种子，已经开始到处生根芽。这两名同志，就是十二机部从京城工大抢过来的那批种子之一。

高振东笑道：“你们把这个管子搞好了的话，等环境合适了，就能接着搞一种新器件，不过现在还早，先不想那个。”

很有意思的事情，mosFeT和IgBT的结构很像，高振东考虑得非常远，现在没资源搞IgBT，等过几年可就不一定，现在暂时gTo和mosFeT够用了。

和gTo一样，花了大半天时间，高振东把mosFeT的相关内容给1218和十六室的同志做了详细的传授。

这东西高振东上辈子学过，考试成绩还不错，在网上和别人因为高铁的事情对喷的时候，又查找了不少相关资料。

技术型喷子，恐怖如斯。

所以高振东对这东西是真的非常熟悉，听得同志们佩服不已。

高总工不但理论精深，实践丰富，讲起课来也是深入浅出，头头是道。

“高总工，那我们就回去把事情组织起来，正式开动了。”

“嗯，我们争取尽快搞出mosFeT，就能真正把电子开关的工作给做好了。”

知道mosFeT之后，1218崔总工就对这东西非常感兴趣，已知最好的光耦，不做出来心里不得劲儿。

高振东点了点头，又拿出一份资料递给十六研究室的同志。

“虽然我这里不搞scR，但是这方面，我在搞gTo和mosFeT的早期也有一点考虑和想法，你们可以拿去看看，也许能够开阔你们在搞scR时的思路。”

这一份，高振东就懒得讲了，你们自己看吧。

也没那么多可讲的，自己看都能看懂。

这是高振东从记忆里回忆出来的关于scR的相关内容，和mosFeT、gTo他花了机会去搜资料不同，这些东西就是比较浅显的大学教材里的东西，比起前两者要简单得多，很多只是一个思路或者是简介。

但是对于十六室的同志来说，就这，已经足够让他们高兴得跳起来。

scR毕竟在现阶段有一些特点和优势，也还是要搞一点的，高振东把这个资料给他们，也就是考虑到这一点，方便他们的工作。

看着手上关于ascR、TRIac、RcT等等各种各样的晶闸管的内容，本来是搞scR的李主任一看见眼睛就拔不出来了。

“还能这样……”

“还有这种……”

“诶，这个有意思……”

高振东的那句“一点考虑”，此时听起来好像是在开玩笑。

什么一点，这简直是很多考虑！

但是高总工考虑了这么多，最终还是放弃了scR没有去搞，足见gTo有多优秀，同志们对手上两种器件的信心更足了。

（本章完）